光學測量儀產(chǎn)品及廠家
sinton少子壽命測試儀wct-120，suns-voc，硅片少子壽命測試系統(tǒng)，采用了獨特的測量和分析技術，包括準穩(wěn)定態(tài)光電導(qsspc)測量方法。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應,表面復合效應等缺陷情況。
更新時間:2025-07-05
布魯克 dektakxt 臺階儀（探針式表面輪廓儀）設計創(chuàng)新，實現(xiàn)了更高的重復性和分辨率，垂直高度重復性高達 5å。第十代 dektakxt臺階儀（探針式表面輪廓儀）的技術突破，實現(xiàn)了納米尺度的表面輪廓測量，從而可以廣泛的應用于微電子器件，半導體，電池，高亮度發(fā)光二管的研發(fā)以及材料科學域。
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
美az 總輻射度/太陽能吸收率(tesa)便攜式反射計 tesa 2000，根據(jù)astm e408測定熱發(fā)射率和空氣質量為零時的太陽吸收率(空間應用)。它緊湊，輕巧，堅固耐用，符合人體工程學設計，便于在野外或實驗室中使用。
更新時間:2025-07-05
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kl-28b/28bf( 光散射法）,粒徑范圍（2個通道）：≥0.2μm， ≥0.5μm, 大粒子數(shù)濃度：1 200 顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2025-07-05
日本rion 液體光學顆粒度儀：ks-16/16f ( 光散射法）, 大粒子數(shù)濃度：1 200 顆/l （誤差值低于5%）, 粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm
更新時間:2025-07-05
日本rion 液體光學顆粒度儀：ks-17b ( 光散射法）,純水用，大粒子數(shù)濃度：100 000 顆/ml （誤差值低于5%），粒徑范圍（2個通道）：≥0.05μm， ≥0.1μm （4通道需工廠定制）
更新時間:2025-07-05
日本理音rion液體光學顆粒度儀ks-19f，寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
日本rion粒子計數(shù)器kc-24 ( 光散射法）,液體粒子計數(shù)器，可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。可測 0.1um 空氣顆粒度儀kc-24
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學顆粒度儀ks-41a ( 光阻用），可檢測光阻產(chǎn)品、sog 等產(chǎn)品中 0.15um 的顆粒。粒徑范圍（4個通道，出廠默認）：≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm
更新時間:2025-07-05
日本rion 液體光學顆粒度儀：ks-18f ( 光散射法）液體光學顆粒度儀 ks-18f寬廣的測試范圍，可測試 0.05~0.2um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。 可偵測到小粒徑 0.05um 的粒子
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學顆粒度儀ks-42a&42af ( 光散射法）,可測試 0.1~0.5um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學顆粒度儀ks-42b/42bf ( 光散射法）,寬廣的測試范圍，可測試 0.2~2.0um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學顆粒度儀ks-42c ( 光散射法）,寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
日本理音 rion 粒子計數(shù)器 ks-20f，檢測粒徑為0.02μm的顆粒，從0.02μm到0.08μm可達7個通道
更新時間:2025-07-05
日本rion粒子計數(shù)器kc-01e ( 光散射法）,液體粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm
更新時間:2025-07-05
日本rion粒子計數(shù)器kc-03b ( 光散射法）,測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm
更新時間:2025-07-05
lfa 467 hyperflash 閃射法導熱儀，自由選擇測試氣氛，優(yōu)化結構設置與閃射光源，16位自動進樣器，高的測量效率，寬廣的溫度范圍，靈活配備冷卻系統(tǒng)，設計獨特，性能優(yōu)異，配備氙燈光源的，高溫測試系統(tǒng)，寬廣的溫度范圍，真空密閉爐體，確保氣氛純凈，防止氧化，內置微型管式爐，更高的測量效率，高數(shù)據(jù)采集速率- 用于薄膜與高導熱材料的解決方案
更新時間:2025-07-05
oai is a world leader in uv liight & energy measurement instrumentation used for reliable accurate calibrated control of the hotolithography processes in the semiconductor
更新時間:2025-07-05
日本理學x射線衍射儀 tfxrd-300/200， 適用于near-fab application的無損方式xrd·mapping tool有多種光學元件可選的高精度測角儀，用于氮化鎵（gan)質量管理，可對應大規(guī)格晶圓的x射線衍射分析（xrd)系統(tǒng)
更新時間:2025-07-05
日本理學x射線衍射儀 tfxrd-300/200， 適用于near-fab application的無損方式xrd·mapping tool有多種光學元件可選的高精度測角儀，用于氮化鎵（gan)質量管理，可對應大規(guī)格晶圓的x射線衍射分析（xrd)系統(tǒng)
更新時間:2025-07-05
德國optosol r1 涂層吸收率發(fā)射率檢測儀，用于測量管狀或平面太陽能吸收涂層的定向熱發(fā)射度，其基礎是測量來自擴展熱源的紅外輻射的反射率操作溫度:70 - 90°c
更新時間:2025-07-05
德optosol-k3 太陽能吸收率發(fā)射率檢測儀，k3型發(fā)射率檢測儀由一個被加熱到70℃的發(fā)光體（作為熱輻射源）和三個對波長在8-14μm范圍的光線敏感的探測器組成。 來自發(fā)光體的輻射均勻分布在用作漫射輻射源的積分球內。檢測器以與樣品表面法線成12°的角度安裝。被測量的是由樣品反射回來的輻射。
更新時間:2025-07-05
optosol absorber control k1 太陽能平板集熱器膜層吸收與發(fā)射率快速測量儀，
更新時間:2025-07-05
trisol aaa美國oai標準太陽能模擬器，低成本，標準太陽模擬器提供高度準直，均勻的光，幾乎任何材料或產(chǎn)品暴露在陽光下長時間或短時間的基本測試。根據(jù)配置，這些太陽能模擬器的輸出功率為350w-5,000w。
更新時間:2025-07-05
tss-52,tss-100,tss-156,tss-208,tss-300美國oai太陽能模擬器，這些模擬器,取決于配置、輸出額定350 w -5000 w。oai 3 a太陽模擬器可以提供一個范圍的空氣質量過濾器復制太陽能模擬太陽的光譜。目的探明oai透鏡和鏡像技術可以使一個廣泛的接觸區(qū)域。
更新時間:2025-07-05
美國 d&s 發(fā)射率測量儀 ae1/rd1，是專門針對測量物體的輻射率設計的，ae1測量樣品最小直徑為2.25英寸（5.7cm）？蛇x附件ae-ad1和ae-ad3探測頭能使測量樣品最小直徑為1.0英（2.54cm），可以為圓柱形表面和幾乎任何幾何形狀面需求的客戶提供定制探頭。對小直徑圓柱形面樣品測量，可以測量平行放置的多個樣品。
更新時間:2025-07-05
美國sonix 晶圓檢測設備 autowafe pro.為全自動晶圓檢測設計的機型，主要應用在bond wafer，mems 內部空洞、離層檢測，tsv量測方面。
更新時間:2025-07-05
美國泰克tek keithley半導體參數(shù)分析儀4200a-scs ，加快半導體設備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 業(yè)內領先性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (i-v)、電容-電壓 (c-v) 和超快脈沖 i-v 測量。
更新時間:2025-07-05
瑞士nanosurf 原子力顯微鏡coreafm ，非常智能地聯(lián)合了原子力顯微鏡的核心部件來實現(xiàn)最多功能化與用戶方便使用性. 正是由于這種基礎的設計, coreafm非常合理的實現(xiàn)了最優(yōu)化的原子力顯微鏡的功能.
更新時間:2025-07-05
韓國ecopia霍爾效應測量系統(tǒng)hms3000，hms5000，用于研究半導體材料/光電材料的電學特性，可以測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。
更新時間:2025-07-05
美國 mmr 霍爾效應測量系統(tǒng) h5000，用于研究光電材料的電學特性，利用范德堡測量技術測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。整套系統(tǒng)主要包括控制器、樣品室、磁場三部分。
更新時間:2025-07-05
ftpadv 臺式薄膜探針反射儀臺式薄膜探針反射儀ftpadv，ftpadv是一種具有成本效益的臺式反射膜厚儀解決方案，它具有非？焖俚暮穸葴y量。在100毫秒以內進行測量，其精度低于0.3nm，膜厚范圍在50 nm -25 μm。為了便于分光反射測量操作，該儀器包括了范圍廣泛的預定配方。
更新時間:2025-07-05
ftpadv expert 綜合薄膜測量軟件，光譜反射測量軟件ftpadv expert是專門為測量和分析r(λ)和t(λ)而設計的。用于確定各種材料的薄膜厚度、消光系數(shù)或折射率的光譜數(shù)據(jù)分析，這些參數(shù)都被加載到sentech光譜反射測量軟件中，使得能夠根據(jù)cauchy色散、drude振蕩給出的參數(shù)描述和擬合材料。
更新時間:2025-07-05
mdpinline 光伏測量儀器，一秒內完成正片晶片掃描。mdpinline是為高速自動掃描硅晶片而設計的，它以每片不到一秒的時間記錄少子壽命的全部形貌。利用微波檢測光電導率定量測量少子壽命。憑借其緊湊的設計，mdpinline可以靈活地集成在傳送帶上或晶片分選系統(tǒng)中。
更新時間:2025-07-05
mdpinline ingot 光伏測量儀器，多晶形貌少子壽命測量系統(tǒng)是為高產(chǎn)量生產(chǎn)用戶而設計的。對于一個面，以1毫米的分辨率，無接觸、無破壞地測量電阻率和少子壽命花費不到一分鐘。電阻率和導電類型變化的自動掃描可用于質量控制和監(jiān)測爐子性能。面可以自動轉動，以便測量所有的四個側面。
更新時間:2025-07-05
mdpinline ingot 光伏測量儀器，多晶形貌少子壽命測量系統(tǒng)是為高產(chǎn)量生產(chǎn)用戶而設計的。對于一個面，以1毫米的分辨率，無接觸、無破壞地測量電阻率和少子壽命花費不到一分鐘。電阻率和導電類型變化的自動掃描可用于質量控制和監(jiān)測爐子性能。面可以自動轉動，以便測量所有的四個側面。
更新時間:2025-07-05
德國sentech激動掃描系統(tǒng)mdppro,少子壽命測量儀器的特征在于以1mm分辨率對500mm的一個面在不到4分鐘內完成掃描。電阻率和少子壽命的測量完全無觸摸。利用微波檢測光電導率(mdp)同時測量少子壽命、光電導率、電阻率和p/n導電類型的變化。
更新時間:2025-07-05
sensol是sentech光伏產(chǎn)品組合中的自動大面積掃描儀器。自動表征膜厚、薄層電阻、霧度、反射和透射的均勻性。使用sensol，可以監(jiān)測大型玻璃基板上的沉積過程的均勻性，從而可以顯著減少儀器維護后重新開始生產(chǎn)的時間。
更新時間:2025-07-05
senperc pv 是perc電池制造質量控制的創(chuàng)新解決方案。senperc pv 測量al2o3/sinx堆疊層和用于鈍化perc電池的單層膜。監(jiān)測沉積過程的穩(wěn)定性。由此，可以優(yōu)化維護時間間隔。
更新時間:2025-07-05
德國sentech光伏測量儀器mdpspot，具有成本效益的臺式少子壽命測試儀mdpspot可用于表征晶片或面。它為少子壽命測量提供了一個測量點。 低成本桌面式壽命測量系統(tǒng)，用于手動操作表征不同制備階段的各種不同硅樣品？蛇x的手動操作z軸用于厚度多達156毫米的樣品。標準軟件可輸出可視化的測量結果。
更新時間:2025-07-05
薄膜反射和透射的在線監(jiān)測系統(tǒng) rt inline 反射率、透射率和膜厚的高速在線測量是rt inline的設計特點。傳感器頭陣列掃描薄膜在大型玻璃基板上的反射和/或透射，作為內部參考測量。利用ftpadv expert軟件可以方便地進行層沉積過程的在線監(jiān)測。軟件接口可用于與主機的數(shù)據(jù)通信。
更新時間:2025-07-05
sentech ald實時監(jiān)測儀是一種新型的光學診斷工具，是心靈超高分辨率的單一ald循環(huán)。在不破壞真空的條件下分析薄膜特性(生長速率，厚度，折射率)，在短時間內開發(fā)新工藝、實時研究ald循環(huán)中的反應機理是sentech ald實時監(jiān)測儀的主要應用。
更新時間:2025-07-05
aoi可以置于生產(chǎn)線上的多個位置，但有三個位子是主要的：1、錫膏印刷之后。將aoi的檢測放在錫膏印刷機之后，這是個典型的放置位置，因為很多缺陷是由于錫膏印刷的不良所造成的，如錫膏量不足可能會導致元件丟失或開路的原因。2、回流焊，將檢測設備放置于貼片后
更新時間:2025-07-05
最新產(chǎn)品
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