光學(xué)測(cè)量?jī)x產(chǎn)品及廠家
美associated 耐壓測(cè)試儀hypotmax 7710 ，是一款12 kvdc hipot測(cè)試儀，用于為電纜、電線、線束和電氣元件測(cè)試提供高直流輸出電壓。該產(chǎn)品非常易于使用，并為安全有效的測(cè)試提供了各種特性。它有專利smartgfi®操作,它還包括電荷lo®和斜坡嗨®系統(tǒng)。最后，該系統(tǒng)具有遠(yuǎn)程安全聯(lián)鎖和數(shù)控電弧檢測(cè)系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2025-07-05
montana 新型超精細(xì)多功能無(wú)液氦低溫光學(xué)恒溫器完全擺脫了液氦。完全閉循環(huán)的制冷系統(tǒng)只需要極少量的氦氣即可讓系統(tǒng)達(dá)到極限低溫。系統(tǒng)具有超快降溫、超低震動(dòng)和超高的溫度穩(wěn)定性。全自動(dòng)化的控制軟件，簡(jiǎn)化了用戶的操作流程。
更新時(shí)間:2025-07-05
德國(guó)attocube磁共振顯微鏡/低溫強(qiáng)磁場(chǎng)磁共振顯微鏡attocsfm,完美集成了由完全無(wú)磁性材料制備的高數(shù)值孔徑（na）共聚焦顯微鏡與原子力顯微鏡來(lái)滿足odmr實(shí)驗(yàn)的需求。
更新時(shí)間:2025-07-05
sinton少子壽命測(cè)試儀wct-120，suns-voc，硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng)，采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(qsspc)測(cè)量方法？伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。
更新時(shí)間:2025-07-05
布魯克bruker白光干涉光學(xué)輪廓儀 contour x, 滿足微納米表面測(cè)量需要
更新時(shí)間:2025-07-05
布魯克bruker contourx-200 三維光學(xué)輪廓儀，靈活的臺(tái)式表面形貌測(cè)量設(shè)備
更新時(shí)間:2025-07-05
布魯克 dektakxt 臺(tái)階儀（探針式表面輪廓儀）設(shè)計(jì)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了更高的重復(fù)性和分辨率，垂直高度重復(fù)性高達(dá) 5å。第十代 dektakxt臺(tái)階儀（探針式表面輪廓儀）的技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)了納米尺度的表面輪廓測(cè)量，從而可以廣泛的應(yīng)用于微電子器件，半導(dǎo)體，電池，高亮度發(fā)光二管的研發(fā)以及材料科學(xué)域。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-41b，可檢測(cè)光阻產(chǎn)品、sog 等產(chǎn)品中 0.1um 的顆粒。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-05
美az 總輻射度/太陽(yáng)能吸收率(tesa)便攜式反射計(jì) tesa 2000，根據(jù)astm e408測(cè)定熱發(fā)射率和空氣質(zhì)量為零時(shí)的太陽(yáng)吸收率(空間應(yīng)用)。它緊湊，輕巧，堅(jiān)固耐用，符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì)，便于在野外或?qū)嶒?yàn)室中使用。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-28b/28bf( 光散射法）,粒徑范圍（2個(gè)通道）：≥0.2μm， ≥0.5μm, 大粒子數(shù)濃度：1 200 顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion 液體光學(xué)顆粒度儀：ks-16/16f ( 光散射法）, 大粒子數(shù)濃度：1 200 顆/l （誤差值低于5%）, 粒徑范圍（5個(gè)通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion 液體光學(xué)顆粒度儀：ks-17b ( 光散射法）,純水用，大粒子數(shù)濃度：100 000 顆/ml （誤差值低于5%），粒徑范圍（2個(gè)通道）：≥0.05μm， ≥0.1μm （4通道需工廠定制）
更新時(shí)間:2025-07-05
日本理音rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f，寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion粒子計(jì)數(shù)器kc-24 ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體？蓽y(cè) 0.1um 空氣顆粒度儀kc-24
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-41a ( 光阻用），可檢測(cè)光阻產(chǎn)品、sog 等產(chǎn)品中 0.15um 的顆粒。粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion 液體光學(xué)顆粒度儀：ks-18f ( 光散射法）液體光學(xué)顆粒度儀 ks-18f寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.05~0.2um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。 可偵測(cè)到小粒徑 0.05um 的粒子
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-42a&42af ( 光散射法）,可測(cè)試 0.1~0.5um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-42b/42bf ( 光散射法）,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.2~2.0um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-42c ( 光散射法）,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-05
日本理音 rion 粒子計(jì)數(shù)器 ks-20f，檢測(cè)粒徑為0.02μm的顆粒，從0.02μm到0.08μm可達(dá)7個(gè)通道
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion粒子計(jì)數(shù)器kc-01e ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm
更新時(shí)間:2025-07-05
日本rion粒子計(jì)數(shù)器kc-03b ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm
更新時(shí)間:2025-07-05
lfa 467 hyperflash 閃射法導(dǎo)熱儀，自由選擇測(cè)試氣氛，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)置與閃射光源，16位自動(dòng)進(jìn)樣器，高的測(cè)量效率，寬廣的溫度范圍，靈活配備冷卻系統(tǒng)，設(shè)計(jì)獨(dú)特，性能優(yōu)異，配備氙燈光源的，高溫測(cè)試系統(tǒng)，寬廣的溫度范圍，真空密閉爐體，確保氣氛純凈，防止氧化，內(nèi)置微型管式爐，更高的測(cè)量效率，高數(shù)據(jù)采集速率- 用于薄膜與高導(dǎo)熱材料的解決方案
更新時(shí)間:2025-07-05
oai is a world leader in uv liight & energy measurement instrumentation used for reliable accurate calibrated control of the hotolithography processes in the semiconductor
更新時(shí)間:2025-07-05
日本理學(xué)x射線衍射儀 tfxrd-300/200， 適用于near-fab application的無(wú)損方式xrd·mapping tool有多種光學(xué)元件可選的高精度測(cè)角儀，用于氮化鎵（gan)質(zhì)量管理，可對(duì)應(yīng)大規(guī)格晶圓的x射線衍射分析（xrd)系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-05
日本理學(xué)x射線衍射儀 tfxrd-300/200， 適用于near-fab application的無(wú)損方式xrd·mapping tool有多種光學(xué)元件可選的高精度測(cè)角儀，用于氮化鎵（gan)質(zhì)量管理，可對(duì)應(yīng)大規(guī)格晶圓的x射線衍射分析（xrd)系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-05
德國(guó)optosol r1 涂層吸收率發(fā)射率檢測(cè)儀，用于測(cè)量管狀或平面太陽(yáng)能吸收涂層的定向熱發(fā)射度，其基礎(chǔ)是測(cè)量來(lái)自擴(kuò)展熱源的紅外輻射的反射率操作溫度:70 - 90°c
更新時(shí)間:2025-07-05
德optosol-k3 太陽(yáng)能吸收率發(fā)射率檢測(cè)儀，k3型發(fā)射率檢測(cè)儀由一個(gè)被加熱到70℃的發(fā)光體（作為熱輻射源）和三個(gè)對(duì)波長(zhǎng)在8-14μm范圍的光線敏感的探測(cè)器組成。 來(lái)自發(fā)光體的輻射均勻分布在用作漫射輻射源的積分球內(nèi)。檢測(cè)器以與樣品表面法線成12°的角度安裝。被測(cè)量的是由樣品反射回來(lái)的輻射。
更新時(shí)間:2025-07-05
optosol absorber control k1 太陽(yáng)能平板集熱器膜層吸收與發(fā)射率快速測(cè)量?jī)x，
更新時(shí)間:2025-07-05
trisol aaa美國(guó)oai標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能模擬器，低成本，標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)模擬器提供高度準(zhǔn)直，均勻的光，幾乎任何材料或產(chǎn)品暴露在陽(yáng)光下長(zhǎng)時(shí)間或短時(shí)間的基本測(cè)試。根據(jù)配置，這些太陽(yáng)能模擬器的輸出功率為350w-5,000w。
更新時(shí)間:2025-07-05
tss-52,tss-100,tss-156,tss-208,tss-300美國(guó)oai太陽(yáng)能模擬器，這些模擬器,取決于配置、輸出額定350 w -5000 w。oai 3 a太陽(yáng)模擬器可以提供一個(gè)范圍的空氣質(zhì)量過(guò)濾器復(fù)制太陽(yáng)能模擬太陽(yáng)的光譜。目的探明oai透鏡和鏡像技術(shù)可以使一個(gè)廣泛的接觸區(qū)域。
更新時(shí)間:2025-07-05
美國(guó) d&s 發(fā)射率測(cè)量?jī)x ae1/rd1，是專門針對(duì)測(cè)量物體的輻射率設(shè)計(jì)的，ae1測(cè)量樣品最小直徑為2.25英寸（5.7cm）？蛇x附件ae-ad1和ae-ad3探測(cè)頭能使測(cè)量樣品最小直徑為1.0英（2.54cm），可以為圓柱形表面和幾乎任何幾何形狀面需求的客戶提供定制探頭。對(duì)小直徑圓柱形面樣品測(cè)量，可以測(cè)量平行放置的多個(gè)樣品。
更新時(shí)間:2025-07-05
美國(guó)sonix 晶圓檢測(cè)設(shè)備 autowafe pro.為全自動(dòng)晶圓檢測(cè)設(shè)計(jì)的機(jī)型，主要應(yīng)用在bond wafer，mems 內(nèi)部空洞、離層檢測(cè)，tsv量測(cè)方面。
更新時(shí)間:2025-07-05
美國(guó)泰克tek keithley半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4200a-scs ，加快半導(dǎo)體設(shè)備、材料和工藝開(kāi)發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (i-v)、電容-電壓 (c-v) 和超快脈沖 i-v 測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-07-05
瑞士nanosurf 原子力顯微鏡coreafm ，非常智能地聯(lián)合了原子力顯微鏡的核心部件來(lái)實(shí)現(xiàn)最多功能化與用戶方便使用性. 正是由于這種基礎(chǔ)的設(shè)計(jì), coreafm非常合理的實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)化的原子力顯微鏡的功能.
更新時(shí)間:2025-07-05
韓國(guó)ecopia霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)hms3000，hms5000，用于研究半導(dǎo)體材料/光電材料的電學(xué)特性，可以測(cè)量材料在不同溫度、磁場(chǎng)下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。
更新時(shí)間:2025-07-05
美國(guó) mmr 霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng) h5000，用于研究光電材料的電學(xué)特性，利用范德堡測(cè)量技術(shù)測(cè)量材料在不同溫度、磁場(chǎng)下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。整套系統(tǒng)主要包括控制器、樣品室、磁場(chǎng)三部分。
更新時(shí)間:2025-07-05
半導(dǎo)體測(cè)試探針臺(tái)kup007，emp100c，emp100b，emp50s
更新時(shí)間:2025-07-05
德國(guó)mecwins 掃描式激光分析儀scala，它是用激光入射掃描樣品表面，收集反射信號(hào)得到樣品表面的三維形貌和特征。
更新時(shí)間:2025-07-05
ftpadv 臺(tái)式薄膜探針?lè)瓷鋬x臺(tái)式薄膜探針?lè)瓷鋬xftpadv，ftpadv是一種具有成本效益的臺(tái)式反射膜厚儀解決方案，它具有非？焖俚暮穸葴y(cè)量。在100毫秒以內(nèi)進(jìn)行測(cè)量，其精度低于0.3nm，膜厚范圍在50 nm -25 μm。為了便于分光反射測(cè)量操作，該儀器包括了范圍廣泛的預(yù)定配方。
更新時(shí)間:2025-07-05
ftpadv expert 綜合薄膜測(cè)量軟件，光譜反射測(cè)量軟件ftpadv expert是專門為測(cè)量和分析r(λ)和t(λ)而設(shè)計(jì)的。用于確定各種材料的薄膜厚度、消光系數(shù)或折射率的光譜數(shù)據(jù)分析，這些參數(shù)都被加載到sentech光譜反射測(cè)量軟件中，使得能夠根據(jù)cauchy色散、drude振蕩給出的參數(shù)描述和擬合材料。
更新時(shí)間:2025-07-05
mdpinline 光伏測(cè)量?jī)x器，一秒內(nèi)完成正片晶片掃描。mdpinline是為高速自動(dòng)掃描硅晶片而設(shè)計(jì)的，它以每片不到一秒的時(shí)間記錄少子壽命的全部形貌。利用微波檢測(cè)光電導(dǎo)率定量測(cè)量少子壽命。憑借其緊湊的設(shè)計(jì)，mdpinline可以靈活地集成在傳送帶上或晶片分選系統(tǒng)中。
更新時(shí)間:2025-07-05
mdpinline ingot 光伏測(cè)量?jī)x器，多晶形貌少子壽命測(cè)量系統(tǒng)是為高產(chǎn)量生產(chǎn)用戶而設(shè)計(jì)的。對(duì)于一個(gè)面，以1毫米的分辨率，無(wú)接觸、無(wú)破壞地測(cè)量電阻率和少子壽命花費(fèi)不到一分鐘。電阻率和導(dǎo)電類型變化的自動(dòng)掃描可用于質(zhì)量控制和監(jiān)測(cè)爐子性能。面可以自動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)，以便測(cè)量所有的四個(gè)側(cè)面。
更新時(shí)間:2025-07-05
mdpinline ingot 光伏測(cè)量?jī)x器，多晶形貌少子壽命測(cè)量系統(tǒng)是為高產(chǎn)量生產(chǎn)用戶而設(shè)計(jì)的。對(duì)于一個(gè)面，以1毫米的分辨率，無(wú)接觸、無(wú)破壞地測(cè)量電阻率和少子壽命花費(fèi)不到一分鐘。電阻率和導(dǎo)電類型變化的自動(dòng)掃描可用于質(zhì)量控制和監(jiān)測(cè)爐子性能。面可以自動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)，以便測(cè)量所有的四個(gè)側(cè)面。
更新時(shí)間:2025-07-05
德國(guó)sentech激動(dòng)掃描系統(tǒng)mdppro,少子壽命測(cè)量?jī)x器的特征在于以1mm分辨率對(duì)500mm的一個(gè)面在不到4分鐘內(nèi)完成掃描。電阻率和少子壽命的測(cè)量完全無(wú)觸摸。利用微波檢測(cè)光電導(dǎo)率(mdp)同時(shí)測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和p/n導(dǎo)電類型的變化。
更新時(shí)間:2025-07-05
sensol是sentech光伏產(chǎn)品組合中的自動(dòng)大面積掃描儀器。自動(dòng)表征膜厚、薄層電阻、霧度、反射和透射的均勻性。使用sensol，可以監(jiān)測(cè)大型玻璃基板上的沉積過(guò)程的均勻性，從而可以顯著減少儀器維護(hù)后重新開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)間。
更新時(shí)間:2025-07-05
senperc pv 是perc電池制造質(zhì)量控制的創(chuàng)新解決方案。senperc pv 測(cè)量al2o3/sinx堆疊層和用于鈍化perc電池的單層膜。監(jiān)測(cè)沉積過(guò)程的穩(wěn)定性。由此，可以優(yōu)化維護(hù)時(shí)間間隔。
更新時(shí)間:2025-07-05
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)x器mdpspot，具有成本效益的臺(tái)式少子壽命測(cè)試儀mdpspot可用于表征晶片或面。它為少子壽命測(cè)量提供了一個(gè)測(cè)量點(diǎn)。 低成本桌面式壽命測(cè)量系統(tǒng)，用于手動(dòng)操作表征不同制備階段的各種不同硅樣品？蛇x的手動(dòng)操作z軸用于厚度多達(dá)156毫米的樣品。標(biāo)準(zhǔn)軟件可輸出可視化的測(cè)量結(jié)果。
更新時(shí)間:2025-07-05
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