光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測試。
更新時(shí)間:2025-07-04
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-07-04
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2025-07-04
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī)，使用計(jì)算機(jī)控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2025-07-04
韓國ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時(shí)間:2025-07-04
英國quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機(jī)，是一款優(yōu)化設(shè)計(jì)的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設(shè)備，真空度可達(dá)5x10-5mbar？梢詾R射具有超細(xì)成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無定形碳膜。
更新時(shí)間:2025-07-04
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機(jī)用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)用光刻機(jī)，目得到業(yè)界的廣泛認(rèn)同，該系列光刻機(jī)曝光系統(tǒng)的曝光燈，主要是由德國歐司朗及日本牛尾公司生產(chǎn)的曝光燈進(jìn)行配套供應(yīng)。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩(wěn)定的光強(qiáng)度以及優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)受到業(yè)界的青睞。
更新時(shí)間:2025-07-04
adlema先進(jìn)的檢漏機(jī)bt4000技 術(shù) 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時(shí)間:2025-07-04
美國kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達(dá)800 ℃，樣品尺寸可達(dá)10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/34al型光刻機(jī)，曝光分辨率： 0.8μm-1μm ，套準(zhǔn)精度：±0.8-1μm
更新時(shí)間:2025-07-04
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術(shù)微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于第四代半導(dǎo)體，射頻器件，散熱器件，光學(xué)窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽(yù)為半導(dǎo)體終材料。
更新時(shí)間:2025-07-04
德國yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點(diǎn)、納米焦點(diǎn)雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應(yīng)用 多功能性
更新時(shí)間:2025-07-04
100s接觸角測量儀是采用光學(xué)成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價(jià)比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時(shí)間:2025-07-04
德國kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2025-07-04
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2025-07-04
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動(dòng)）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非？煽浚詣(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非？煽，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對準(zhǔn)過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準(zhǔn)，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時(shí)間:2025-07-04
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時(shí)間:2025-07-04
美國 oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2025-07-04
oai model 212型桌面掩模對準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2025-07-04
oai model 800e 型掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2025-07-04
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2025-07-04
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時(shí)間:2025-07-04
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2025-07-04
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-07-04
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-07-04
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-07-04
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-07-04
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-07-04
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-07-04
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-07-04
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-07-04
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計(jì)，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-07-04
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-07-04
最新產(chǎn)品
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