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    光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

    型無(wú)掩模單面光刻機(jī)
    ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像,分辨力 1um。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,全自動(dòng))和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動(dòng)找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進(jìn)口(德國(guó))直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽浚詣(dòng)化程度很高,操作十分方便。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動(dòng)化程度高)和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動(dòng)找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進(jìn)口(德國(guó))直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽浚詣(dòng)化程度很高,操作十分方便。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:100mm×100mm;分辨力:1.0 μm(膠厚 2.0 μm 的正膠,365nm 波長(zhǎng))
    更新時(shí)間:2025-07-05
    型紫外單面光刻機(jī)(臺(tái)式)
    ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)(臺(tái)式),曝光面積:4 英寸,分辨力:1.5μm(膠厚 2 m 的正膠),對(duì)準(zhǔn)精度:±1μm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    型紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸,分辨力:1 μm(膠厚 2 μm的正膠),對(duì)準(zhǔn)精度:± 0.8μm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外雙面光刻機(jī)型紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,分辨力:1 μm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸,正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,對(duì)準(zhǔn)精度:± 2μm (雙面,片厚 0.8mm),± 0.8μm (單面)
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積:8 英寸, 曝光波長(zhǎng):365nm: 15mw/cm,405nm:15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度:±2 μm (雙面,片厚 0.8mm)±0.8 μm (單面)
    更新時(shí)間:2025-07-05
    雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸(或 6 英寸),正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/35l(a)型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
    更新時(shí)間:2025-07-05
    雙面光刻機(jī)
    ure-2000s/35l(b)型雙面光刻機(jī), 曝光面積:4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程,并提供 usb 輸出;既滿足高精度對(duì)準(zhǔn),又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果,且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
    更新時(shí)間:2025-07-05
    紫外單面光刻機(jī)
    ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:150mm×150mm;分辨力:1.0μm(365nm 波長(zhǎng)),對(duì)準(zhǔn)精度:≤±0.8μm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó) OAI 光刻機(jī) Model  200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)
    美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng),完全手工操作,輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線,hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
    oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó)OAI掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
    oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm), i(365nm)和310nm線,hg-xe燈:260nm和220nm
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
    oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型,高吞吐量180 wph,靈活處理基板從2“平方到12”平方
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
    oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號(hào)6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
    更新時(shí)間:2025-07-05
    離子束刻蝕系統(tǒng)
    nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng),nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng),通過(guò)加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過(guò)反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    納米壓痕儀
    hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度;诤K紕(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新,它為納米力學(xué)表征帶來(lái)了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺(tái)優(yōu)異納米力學(xué)測(cè)試儀
    更新時(shí)間:2025-07-05
    全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡
    echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤(pán)和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無(wú)需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
    更新時(shí)間:2025-07-05
    日本Elionix微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫(xiě)機(jī)
    日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫(xiě)機(jī)els-f125,是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng),其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    日本Elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng)
    日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    日本Elionix電子束光刻機(jī)
    els-boden 新型電子束光刻系統(tǒng),高速掃描400mhz頻率生產(chǎn)
    更新時(shí)間:2025-07-05
    海德堡桌面無(wú)掩模光刻機(jī)
    日本電子 jsm-7610fplus,用于納米科學(xué)的肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡, 是款采用半浸沒(méi)式物鏡、擁有超高分辨率的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無(wú)掩模光刻機(jī)
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)海德堡 激光直寫(xiě)光刻機(jī)
    dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫(xiě)模塊,實(shí)現(xiàn)不同精度直寫(xiě)需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)海德堡 Heidelberg 激光直寫(xiě)光刻機(jī)
    德國(guó)海德堡 heidelberg 激光直寫(xiě)光刻機(jī) mla150,德國(guó)高精密激光直寫(xiě)繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
    octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔,可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)Leica 全新精研一體機(jī)
    德國(guó)leica em txp全新精研一體機(jī),是一款獨(dú)特的可對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具,特別適合于sem,tem及l(fā)m觀察之對(duì)樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品,如需要對(duì)目標(biāo)精細(xì)定位或需對(duì)肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    基恩士KEYENCE形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)
    keyence 基恩士 形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000,納米 / 微米 / 毫米,一臺(tái)即可完成測(cè)量。292 種分析工具,一臺(tái)即可了解希望獲取的信息。一臺(tái)即包含了光學(xué)顯微鏡,臺(tái)階儀,光學(xué)輪廓儀,及電鏡功能。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利SmartNIL紫外納米壓印
    奧地利smartnil紫外納米壓印:evg7200,leds 制作,led pss納米壓印工藝,led納米透鏡陣列;微流體學(xué);芯片實(shí)驗(yàn)室;抗反射層; 納米壓印光柵; 蓮花效應(yīng);光子帶隙;光學(xué)及通訊:光晶體,激光器件;生物技術(shù)解決方案:醫(yī)藥分析,血液分析,細(xì)胞生長(zhǎng)。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG掩膜光刻機(jī)
    evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝,例如:真空、軟、硬接觸和接近曝光;也支持其他特殊的應(yīng)用,如鍵合對(duì)準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡(jiǎn)便快捷,每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成,而不需要門(mén)的工程人員和培訓(xùn),非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG鍵合機(jī)
    奧地利evg鍵合機(jī):evg510,是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理大200mm的晶圓,非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過(guò)程,并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合,并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配,可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG鍵合機(jī)
    evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng), 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is,配備了evg公司的利吸盤(pán)設(shè)計(jì)---這種吸盤(pán)可以提供對(duì)稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性,如獨(dú)立的上下盤(pán)加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等,都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG單雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能)
    evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能),evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備,可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備;既可以用作研發(fā)設(shè)備,也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
    更新時(shí)間:2025-07-05
    日本Ulvac干法等離子刻蝕裝置
    ne-550z是高真空l(shuí)oad-lock式干法等離子刻蝕裝置,適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
    更新時(shí)間:2025-07-05
    日本Ulvac返回式真空濺射裝置
    返回式真空濺射裝置 cs-200z,高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó)Neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)
    美國(guó)neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
    更新時(shí)間:2025-07-05
    氮化鎵支撐片,晶片,硅片
    2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
    更新時(shí)間:2025-07-05
    法國(guó)Annealsys 高溫退火爐
    法國(guó)annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備,適用于硅,化合物半導(dǎo)體,太陽(yáng)能電池& mems.
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
    日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍,可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng),非常適合于iii/v族, ii/vi族,及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì),可以裝配各種源爐,實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)UnitemP真空快速退火爐
    德國(guó)unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓,150mm,快升溫速率可達(dá)150k/s
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
    evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng),是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái),在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊,抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印(nil)模塊結(jié)合在一起,用于直徑大為300 mm的晶片。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
    evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    Rion 液體光學(xué)顆粒度儀
    液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c,寬廣的測(cè)試范圍,可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
    更新時(shí)間:2025-07-05
    美國(guó) Lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)
    美國(guó) lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 8600系列:model 8604, model 8607, 更科學(xué),更高效
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)YXLON 定制化的標(biāo)準(zhǔn)X射線檢測(cè)系統(tǒng)
    德國(guó)yxlon 定制化的標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cheetah evo,為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制、
    更新時(shí)間:2025-07-05
    德國(guó)YXLON 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)X射線檢測(cè)系統(tǒng)
    德國(guó)yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cougar evo ,為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制
    更新時(shí)間:2025-07-05

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