光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-05
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-05
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準(zhǔn)過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準(zhǔn)，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時間:2025-07-05
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-07-05
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-07-05
oai model 212型桌面掩模對準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2025-07-05
oai model 800e 型掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2025-07-05
oai的面板掩模光刻機 model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時間:2025-07-05
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時間:2025-07-05
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時具有高的性能、靈活性、可信度、實用性和速度；诤Ｋ紕(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學(xué)表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺優(yōu)異納米力學(xué)測試儀
更新時間:2025-07-05
echo pro 全自動超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動判別缺陷, 高產(chǎn)量,無需人員重復(fù)設(shè)置, 自動烘干.
更新時間:2025-07-05
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時間:2025-07-05
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時間:2025-07-05
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學(xué)的肖特基場發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2025-07-05
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊，實現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時間:2025-07-05
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-07-05
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
更新時間:2025-07-05
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標(biāo)精細(xì)定位或需對肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點處理。
更新時間:2025-07-05
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學(xué)顯微鏡，臺階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-07-05
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長。
更新時間:2025-07-05
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實驗和小批量生產(chǎn)。
更新時間:2025-07-05
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現(xiàn)從實驗線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時間:2025-07-05
evg520is是一款設(shè)計用于小批量生產(chǎn)的半自動晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時間:2025-07-05
evg620 單面/雙面光刻機(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機也可以用作 150mm 硅片的精確對準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補償
更新時間:2025-07-05
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時間:2025-07-05
美國neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時間:2025-07-05
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時間:2025-07-05
法國annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽能電池& mems.
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計，可以裝配各種源爐，實現(xiàn)不同材料分子束外延生長。
更新時間:2025-07-05
evg的hercules nil 300 mm是一個完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺，在單個平臺上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓。╪il）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時間:2025-07-05
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2025-07-05
液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-07-05
美國 lakeshore 振動樣品磁強計 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學(xué)，更高效
更新時間:2025-07-05
德國yxlon 定制化的標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測系統(tǒng)cheetah evo，為封裝檢測、半導(dǎo)體及實驗室應(yīng)用量身定制、
更新時間:2025-07-05
德國yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測、半導(dǎo)體及實驗室應(yīng)用量身定制
更新時間:2025-07-05
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍(lán)光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學(xué)重要參數(shù)隨光源強度變化的曲線。
更新時間:2025-07-05
日本rion光遮蔽粒子計數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-07-05
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時間:2025-07-05
日本rion粒子計數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2025-07-05
日本rion粒子計數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計數(shù)器，可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2025-07-05
最新產(chǎn)品
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