一、概述：鍺單晶（棒料、晶片）電阻率測試儀

采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結(jié)合配置專用的高溫測試探針治具，滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求，通過先進的測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

二、適用行業(yè)：鍺單晶（棒料、晶片）電阻率測試儀

廣泛用于：生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

三、功能介紹：液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運輸安全、使用方便；配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成報表；

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。

測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

四、技術(shù)參數(shù)資料  鍺單晶（棒料、晶片）電阻率測試儀

1.方塊電阻范圍：10^-4～2×10⁵Ω/□

2.電阻率范圍：10^-5×10⁶cm

3.測試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率

7.測試方式: 雙電測量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機不確定性誤差: ≤4%（標準樣片結(jié)果）

10. 最高溫度： 1200℃可調(diào)節(jié)；沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C

11、升溫速度：9999分鐘以內(nèi)自由設(shè)定,一般10分鐘內(nèi)即可升到900℃；功率：3kw.

12、爐膛材料：采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征。

13.專用測試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！

14.選購：電腦和打印機

還有如下相關(guān)產(chǎn)品：FT-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)；FT-352導(dǎo)體材料高溫電阻率測試系統(tǒng)； FT-353絕緣材料高溫表面和體積電阻率測試系統(tǒng)

1、拉力測試測試范圍可在0-100G；0-1KG；0-10KG進行選擇； 2、推球測試測試范圍可在250G 或 5KG進行選擇； 3、芯片或CHIP推力測試范圍可在測試到0-100公斤； 0-200KG進行選擇； 4、鑷子撕力測試頭量程為100G 和5KG進行選擇； 5、BGA拔球到0-100G；0-5KG進行選擇；

                               率微粒表面沉積系統(tǒng)包括進的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術(shù)，用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片，用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統(tǒng)的影響并標定檢測系統(tǒng)，也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。

儀器特點：

l通過DMA技術(shù)去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質(zhì)顆粒，使之不能沉積在晶片表面

lDMA測量經(jīng)過溫度及壓力補償、使得產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球標準晶片

l符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規(guī)范要求

l通過DMA沉積單一粒徑顆粒于晶片表面

l顆粒沉積粒徑：

標準單 DMA：0.08 – 1.0 µm

可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm

l4個內(nèi)置超聲波霧化發(fā)生器產(chǎn)生穩(wěn)定、高濃度的氣溶膠

應(yīng)用說明： 

                               率微粒表面沉積系統(tǒng)包括進的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術(shù)，用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片，用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統(tǒng)的影響并標定檢測系統(tǒng)，也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。

儀器特點：

l通過DMA技術(shù)去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質(zhì)顆粒，使之不能沉積在晶片表面

lDMA測量經(jīng)過溫度及壓力補償、使得產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球標準晶片

l符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規(guī)范要求

l通過DMA沉積單一粒徑顆粒于晶片表面

l顆粒沉積粒徑：

標準單 DMA：0.08 – 1.0 µm

可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm

l4個內(nèi)置超聲波霧化發(fā)生器產(chǎn)生穩(wěn)定、高濃度的氣溶膠

1、故障率極低、抗干擾能力強、系統(tǒng)穩(wěn)定性好。

2、全中文人機界面，10英寸TFT觸摸屏，界面直觀、操作簡單。

3、高穩(wěn)定度高壓電源，保證射線穩(wěn)定輸出。

4、采用振動上料，排除人工理片造成的二次污染，大大降低人力資源，實現(xiàn)一人多機操作。

5、晶片方向自動識別，獨創(chuàng)四方向旋轉(zhuǎn)掃描，正方形晶片亦可辨向，不同厚度晶片切換無需重新設(shè)置放大器，辨向準確率極高。

6、全新的三點式測片臺、托臺設(shè)計，保證晶片測量精度。

7、系統(tǒng)具有管理和統(tǒng)計功能，適用于生產(chǎn)工藝相結(jié)合，數(shù)據(jù)可U盤或本機存貯，亦可打印。

8、機械采用強化設(shè)計，結(jié)構(gòu)合理、性能穩(wěn)定、易于維護，大大保證了測量精度。

9、 角度掃描采用進口伺服電機，較步進電機具有精度高、運行平穩(wěn)、無丟步現(xiàn)象等。

10、獨特的下料分選裝置，落差低，晶片平穩(wěn)滑落，有效降低了晶片破損率。分檔準確率   100%。

11、高穩(wěn)定的放大器電路設(shè)計，解決了零位漂移現(xiàn)象。

12、采用進口LED聲光報警，可對設(shè)備運行及故障進行實時監(jiān)控和必要的提示。

13、安全防護：自動光閘（僅在測片時開啟），X光箱倉門保護，X光管溫度保護，防X射線和防塵的     金屬罩殼防護。

14、開機自動預(yù)熱，自動延時關(guān)機，有效地保護X光管、延長使用壽命。