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JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀價(jià)格 ,場(chǎng)應(yīng)管測(cè)試儀銷(xiāo)售場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀, 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀參數(shù) 功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀報(bào)價(jià)

JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱(chēng) 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。　　　

　5、各類(lèi)晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類(lèi)似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi)、模塊類(lèi)等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

BJ2990 BJ2990 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀|美達(dá)

BJ2990 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

功能特點(diǎn) 性能參數(shù)

BJ2990 MOS場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀可測(cè)試N溝道及P溝道大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的VGS(th)、RDS(on)及ID為0—10A時(shí)的跨導(dǎo)gm等主要技術(shù)參數(shù)。

BJ2922BBJ2922B 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀|美達(dá)

BJ2922B 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

可測(cè)gm,Vp,Idss。數(shù)字顯示

JK9610AJK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀：JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱(chēng) 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。　　　

　5、各類(lèi)晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類(lèi)似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi)、模塊類(lèi)等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

9610A和9612的區(qū)別：

9610A可以測(cè)三個(gè)參數(shù)：A:擊穿電壓VDSS 開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo)

B:三個(gè)參數(shù)只能一項(xiàng)一項(xiàng)測(cè)

9612可以測(cè)四個(gè)參數(shù)：A:開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo) 通態(tài)電阻Ron 極間電容Cir 四個(gè)參數(shù)一起測(cè)

B:效率高,

C:帶分選報(bào)警適合大批量來(lái)料檢驗(yàn)

一、概述　　

JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱(chēng) 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。　　　

　5、各類(lèi)晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類(lèi)似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi)、模塊類(lèi)等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

測(cè)試實(shí)例

型號(hào)		擊穿電壓 Vdss	開(kāi)啟電壓 Vgs（th）	跨導(dǎo)S Gfs	Gfs 測(cè)試電流	標(biāo)稱(chēng)電流 ID	標(biāo)稱(chēng)功率 PD	封裝
IRF640	基本參數(shù)	200V	2-4V	≥6.8	11A	18A	150W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	225V	3.0V	12	11A
IRF1010	基本參數(shù)	60V	2-4V	≥69	50A	84A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	66V	3.2V	67	50A
IRF3205	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥44	62A	110A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	60V	2.9V	68	60A
FQP70N08	基本參數(shù)	80V	2-4V	41	35A	70A	155W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	86V	3.2V	46	35A
75NF75	基本參數(shù)	75V	2-4V	20	40A	80A	300W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	81V	3.6V	52	40A
IRFP064	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥42	59A	110A	200W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	67V	2.5V	57	60A
2SK1120	基本參數(shù)	1000V	2.5-5V	4	4A	8A	150W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1086V	2.3V	5	4A
G160N60	基本參數(shù)	600V	3.5-6.5V	*	80A	160A	250W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	626V	3.9V	35	60A
H40T120	基本參數(shù)	1200V	5-6.5V	21	40A	75A	270W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1390V	5.7V	20	40A
60N170D	基本參數(shù)	1700V	3.5-7.5V			60A	200W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1798V	4.8V	30	60A

該公司產(chǎn)品分類(lèi)：直流低電阻測(cè)試儀多路電阻測(cè)試儀電氣安規(guī)測(cè)試儀數(shù)字電橋電池測(cè)試儀多路溫度測(cè)試儀

JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)述：

JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

9610A和9612的區(qū)別：9610A可以測(cè)三個(gè)參數(shù)：A:擊穿電壓VDSS 開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo)B:三個(gè)參數(shù)只能一項(xiàng)一項(xiàng)測(cè)9612可以測(cè)三個(gè)參數(shù)：A:開(kāi)啟電壓VGS Gfs跨導(dǎo) 通態(tài)電阻Ron 極間電容Cir 四個(gè)參數(shù)一起測(cè)B:效率高,C:帶分選報(bào)警適合大批量來(lái)料檢驗(yàn)功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀 /MOS管分選儀/MOS管配對(duì)儀深圳JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀上海JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀常州JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀價(jià)格JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀銷(xiāo)售 JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀參數(shù) JK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀報(bào)價(jià)一、概述　JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱(chēng) 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器完全可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分優(yōu)越的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。二、主要技術(shù)性能　　1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。三、主要測(cè)試功能　1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。5、各類(lèi)晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。四、測(cè)試盒與測(cè)試線1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類(lèi)似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi)、模塊類(lèi)等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

該公司產(chǎn)品分類(lèi)：真空度計(jì) 日本理音日本小野欣銳儀器德國(guó)Novi 德國(guó)百瑞高臺(tái)灣泰仕TES 德國(guó)德圖testo 美國(guó)雷泰Raytek 日本加野KANOMAX 日本日置HIOKI 日本共立KYORITSU 香港�，擲MART 德國(guó)QBL 意大利哈納HANNA 美國(guó)聯(lián)合系統(tǒng) 美國(guó)ESC 美國(guó)斯德克韓國(guó)卡利安株式會(huì)社德國(guó)喜利得HILTI

JK9610AJK9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀(MOS管測(cè)試儀)

詳細(xì)說(shuō)明

主要技術(shù)性能　　　　

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V，精度：≤2.5% 。　　　　

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。　　　　

3、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍： 0—10V。精度：≤5% 。　　　　

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10 % 。　　　

　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

三、主要測(cè)試功能　　　　

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

2、IGBT的擊穿電壓V（BR）ces、柵極開(kāi)啟電壓VGE（th）、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。　　　　

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。　　　　

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。　　　

　5、各類(lèi)晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。　　　　

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。

四、測(cè)試盒與測(cè)試線　　　　

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類(lèi)似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。　　　

　2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類(lèi)、模塊類(lèi)等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

測(cè)試實(shí)例

型號(hào)		擊穿電壓 Vdss	開(kāi)啟電壓 Vgs（th）	跨導(dǎo)S Gfs	Gfs 測(cè)試電流	標(biāo)稱(chēng)電流 ID	標(biāo)稱(chēng)功率 PD	封裝
IRF640	基本參數(shù)	200V	2-4V	≥6.8	11A	18A	150W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	225V	3.0V	12	11A
IRF1010	基本參數(shù)	60V	2-4V	≥69	50A	84A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	66V	3.2V	67	50A
IRF3205	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥44	62A	110A	200W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	60V	2.9V	68	60A
FQP70N08	基本參數(shù)	80V	2-4V	41	35A	70A	155W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	86V	3.2V	46	35A
75NF75	基本參數(shù)	75V	2-4V	20	40A	80A	300W	TO-220
	實(shí)測(cè)參數(shù)	81V	3.6V	52	40A
IRFP064	基本參數(shù)	55V	2-4V	≥42	59A	110A	200W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	67V	2.5V	57	60A
2SK1120	基本參數(shù)	1000V	2.5-5V	4	4A	8A	150W	TO-3P
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1086V	2.3V	5	4A
G160N60	基本參數(shù)	600V	3.5-6.5V	*	80A	160A	250W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	626V	3.9V	35	60A
H40T120	基本參數(shù)	1200V	5-6.5V	21	40A	75A	270W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1390V	5.7V	20	40A
60N170D	基本參數(shù)	1700V	3.5-7.5V			60A	200W	TO-247
	實(shí)測(cè)參數(shù)	1798V	4.8V	30	60A

JK9610AMOS管測(cè)試盒

該公司產(chǎn)品分類(lèi)： PM-83（三頭）等離子表面處理機(jī) PM-82（雙頭）等離子表面處理機(jī) GM-2000等離子表面處理機(jī) PM-V8等離子表面處理機(jī) 等離子處理機(jī) LCR數(shù)字電橋晶體管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀元器件測(cè)試儀器 RC系列帶電繞組溫升測(cè)試儀 JK-X系列多路溫度測(cè)試儀(多路溫度巡檢儀) 溫度儀器儀表 KZA-III 系列叉車(chē)充電機(jī) KZA系列智能充電機(jī) TXR1010系列X射線高壓電源 SVC系列單相高精度全自動(dòng)交流穩(wěn)壓器 JSW系列三相精密凈化交流穩(wěn)壓電源 JJW系列單相精密凈化交流穩(wěn)壓器 YFT系列風(fēng)光互補(bǔ)逆變電源 YFN系列正弦波逆變器(逆變電源)