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硅片金屬雜質(zhì)分析系統(tǒng) expert,全自動(dòng)汽車(chē)掃描系統(tǒng)與真空二次離子質(zhì)譜法（vpd-icp-ms）結(jié)合，為硅片金屬雜質(zhì)分析提供了高效的解決方案。系統(tǒng)具備多個(gè)型號(hào)，包括適用于實(shí)驗(yàn)室和工廠自動(dòng)化的expert_lab、expert_ps和expert_fab。這些系統(tǒng)支持多種掃描模式，如全掃描、徑向掃描和傾斜掃描，可實(shí)現(xiàn)從大容量蝕刻到深度輪廓測(cè)量的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-07-04
lagm激光剝蝕多通道原子吸收光譜系統(tǒng)采用飛秒激光和電流計(jì)鏡，可精確燒蝕 300 毫米晶圓樣品，無(wú)需小型封閉腔室。系統(tǒng)配備雙注射器模型 msag_ds，支持標(biāo)準(zhǔn)加入法進(jìn)行定量分析，具備點(diǎn)和面傾斜度、輪廓及雜質(zhì)分析功能。系統(tǒng)能全自動(dòng)操作，支持多種分析模式如全掃描、斑點(diǎn)、直線、塊模式及深度剖面模式，適用于晶圓和非晶圓樣品的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-07-04
msag金屬標(biāo)準(zhǔn)氣霧劑生成系統(tǒng)，是一種用于納米顆粒分析及直接氣體分析的重要工具，尤其適用于電感耦合等離子體質(zhì)譜法（icp-ms）。該設(shè)備能夠以0至3μl/min的速度將混合金屬標(biāo)準(zhǔn)溶液引入霧化器，確保了高靈敏度和準(zhǔn)確性。通過(guò)msgg裝置監(jiān)測(cè)icp-ms靈敏度變化，并利用鉬氣態(tài)標(biāo)準(zhǔn)作為內(nèi)標(biāo)。
更新時(shí)間:2025-07-04
csi 連續(xù)化學(xué)品檢測(cè)系統(tǒng)：化學(xué)敏感儀器監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體晶圓廠使用的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)（csi）系統(tǒng)監(jiān)測(cè)微量金屬雜質(zhì)，以避免器件故障。系統(tǒng)采用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）對(duì)化學(xué)品進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè)，包括液相（lt）和氣溶膠相（at）兩種樣品運(yùn)輸方式。l
更新時(shí)間:2025-07-04
化學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室采用連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)系統(tǒng)（csi）監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體工藝中的化學(xué)品，以檢測(cè)微量金屬雜質(zhì)。該系統(tǒng)使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè)，確；瘜W(xué)品在運(yùn)輸和更換過(guò)濾器過(guò)程中不受污染。在線接口軟件（ois）控制閥門(mén)、自動(dòng)進(jìn)樣器和icp-ms，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)校準(zhǔn)和質(zhì)量控制。該系統(tǒng)能夠生成濃度和計(jì)數(shù)趨勢(shì)圖，并具備自動(dòng)重新分析功能。
更新時(shí)間:2025-07-04
氣體電離探測(cè)器（ged）是一種用于測(cè)量氣體中金屬顆粒濃度的技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體行業(yè)中特殊氣體的分析。該系統(tǒng)通過(guò)一個(gè)高效的膜來(lái)交換氣體，使得樣品氣體中的金屬顆粒能在無(wú)需預(yù)處理的情況下直接引入到電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）中進(jìn)行高靈敏度分析。
更新時(shí)間:2025-07-04
asas ii自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)添加系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)制備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液，提升了電感耦合等離子體（icp）分析的效率與精度。該系統(tǒng)采用非接觸式光流傳感器和高精度注射泵，實(shí)現(xiàn)微量標(biāo)準(zhǔn)溶液的精 準(zhǔn)添加。其無(wú)閥門(mén)設(shè)計(jì)及全氟聚合物材質(zhì)確保了系統(tǒng)的高效與耐用性。
更新時(shí)間:2025-07-04
自動(dòng)進(jìn)樣稀釋模塊asdm專(zhuān)為icp自動(dòng)進(jìn)樣器設(shè)計(jì)，支持2至1000倍的樣品溶液稀釋?zhuān)鋫鋬煞N型號(hào)以適應(yīng)不同溶液類(lèi)型。該模塊可自動(dòng)添加標(biāo)準(zhǔn)溶液，并能同時(shí)清洗稀釋探頭及準(zhǔn)備下一個(gè)稀釋樣品。asdm提供10ml注射器進(jìn)行2-20倍稀釋?zhuān)騼芍ё⑸淦鬟M(jìn)行50-1000倍稀釋。
更新時(shí)間:2025-07-04
德國(guó)eberl 多波束電子束 octoplus 1000, 用于大 12 英寸基底 sige 外延生長(zhǎng)的 mbe 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-04
德國(guó) eberl 的多波束電子束octoplus 1000系統(tǒng)，專(zhuān)為最大12英寸sige外延生長(zhǎng)設(shè)計(jì)，適用于mbe（分子束外延）工藝。該系統(tǒng)提供高效、高精度的沉積技術(shù)，確保高質(zhì)量薄膜的生長(zhǎng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
更新時(shí)間:2025-07-04
. 在垂直入射角的無(wú)接觸、光學(xué)反射測(cè)量，表征薄膜和大塊材料.光譜范圍從200到1000 nm. 功能強(qiáng)大的、獨(dú)特的分析軟件包ftpadv expert. 高穩(wěn)定的氘燈和鹵素鎢燈光源. 高精度的樣品準(zhǔn)直，帶光學(xué)自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡act和顯微鏡
更新時(shí)間:2025-07-04
盒式裝載紫外線臭氧清洗設(shè)備 uv-300hc雙盒式生產(chǎn)系統(tǒng)，是一款高性能的盒式裝載uv臭氧清洗機(jī)，用于生產(chǎn)。這個(gè)系統(tǒng)有2個(gè)裝載盒，可以達(dá)到200-300nm/min的高灰化率。該系統(tǒng)利用紫外線照射、高濃度臭氧和可控階段加熱的獨(dú)特組合，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas和inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-07-04
紫外線臭氧清洗機(jī) uv-300h，200 - 300 nm/min的高灰化率,是一款高性能的緊湊型紫外線臭氧清洗機(jī)。通過(guò)滑動(dòng)抽屜將基材裝入系統(tǒng)中。紫外線照射、高濃度臭氧和階段性加熱的獨(dú)特組合，可溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas、inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-07-04
日本samco紫外臭氧清洗機(jī) uv-1, 是一款緊湊型臺(tái)式紫外線臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺(tái)加熱獨(dú)特地結(jié)合在一起，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、gaas、inp、sic）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-07-04
fr-es 是一款輕巧便捷的膜厚測(cè)量分析系統(tǒng), 能測(cè)量各種厚度范圍的透明和半透明涂層以及薄金屬層.fr-es 是 實(shí)驗(yàn)室里 的 理想 配置。fr-es 可以在各種光譜范圍內(nèi)執(zhí)行反射率和透射率測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-07-04
德國(guó)pva tepla 超聲波掃描顯微鏡 sam 301, 利用材料內(nèi)部組織因密度不同而對(duì)超聲波聲阻抗、超聲波吸收與反射程度產(chǎn)生差異的特點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料內(nèi)部缺陷的定性分析，在半導(dǎo)體封裝及材料等行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用？煞直娉霾牧、元器件內(nèi)部的裂紋、空洞、氣泡、分層缺陷、雜質(zhì)等；廣泛用于測(cè)試各種元器件、smt焊接器件、igbt器件、mems器件、晶圓鍵合等內(nèi)部缺陷的無(wú)損檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-07-04
美rkd激光開(kāi)封機(jī)ra-9000簡(jiǎn)單方便進(jìn)行半導(dǎo)體塑料封裝去屑，露出基板上的引線框架。完全圖形化的使用者操作介面，簡(jiǎn)易的進(jìn)行控制操作。輕易達(dá)成整面或定點(diǎn)，平整的塑料開(kāi)封作業(yè)。大量減低化學(xué)開(kāi)封的用酸量及時(shí)間，並將開(kāi)封成功率地大比率提升。
更新時(shí)間:2025-07-04
tl系列激光開(kāi)封機(jī)通過(guò)激光能量的調(diào)節(jié)控制，去除封裝電子器件的塑膠層。用于觀察電子器件內(nèi)部焊線偏移，焊線交叉短路，倒裝焊焊球虛焊，倒裝焊焊球短路，焊線斷裂，焊線脫離等封裝缺陷。
更新時(shí)間:2025-07-04
高粘度樣品用液中粒子傳感器xp-65/ks-42c（改）無(wú)需稀釋即可測(cè)量原液（可達(dá)6000 cp）。支持在線和離線測(cè)量。廣泛的可測(cè)粒徑范圍xp-65：0.2μm～1.0μm，ks-42c（改）：0.5μm～20μm
更新時(shí)間:2025-07-04
eda 407專(zhuān)為光電子器件的質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)■ 從密封封裝中進(jìn)行精確氣體分析■ 氣體成分的直觀分析■ 簡(jiǎn)明易用的軟件套件■ 全自動(dòng)化的氣體進(jìn)樣系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-04
桌上型hmds烘箱，小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性，從而增大晶圓表面的接觸角），增強(qiáng)光刻膠和晶圓的粘附力。
更新時(shí)間:2025-07-04
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應(yīng)用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料等。
更新時(shí)間:2025-07-04
智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱 高溫氮?dú)鉄o(wú)氧pi烤箱 pi固化爐電子膠體固化：銀膠/bcb膠/光刻膠高溫固化（300-450℃）晶圓加工：退火處理、pi膜烘烤（±1℃波動(dòng)精度）陶瓷燒結(jié)：電子陶瓷材料無(wú)塵烘干（class100潔凈環(huán)境
更新時(shí)間:2025-07-04
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設(shè)備 真空硅烷涂膠機(jī)是一種用于硅烷（siih?）作為前驅(qū)體的薄膜沉積設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體、納米壓印脫模工藝、光伏（太陽(yáng)能電池）、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領(lǐng)域的材料制備。硅烷（sih?）因其高反應(yīng)性和低溫沉積特性，成為沉積非晶硅（a-si）、微晶硅（μc-si）、氮化硅（sin?）和氧化硅（sio?）等薄膜的關(guān)鍵化學(xué)品。
更新時(shí)間:2025-07-04
硅烷沉積設(shè)備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設(shè)備通過(guò)表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過(guò)程中實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)較好的轉(zhuǎn)移,復(fù)制.
更新時(shí)間:2025-07-04
大型hmds真空烘箱 4門(mén)hmds真空烤箱 hmds硅烷蒸鍍機(jī)定制是半導(dǎo)體光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于基片表面預(yù)處理，通過(guò)六甲基二硅氮烷（hmds）涂布增強(qiáng)光刻膠與基片的黏附性
更新時(shí)間:2025-07-04
桌上型無(wú)氧烘箱 實(shí)驗(yàn)高溫?zé)o氧固化爐 真空無(wú)氧烤箱專(zhuān)為高精度電子元件、ic/芯片、pi/bcb/cpi/bpo等膠水等材料設(shè)計(jì)的緊湊型固化設(shè)備，結(jié)合無(wú)氧環(huán)境與高效加熱技術(shù)，確保材料在固化過(guò)程中避免氧化。
更新時(shí)間:2025-07-04
北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的多電磁鐵以四電磁鐵居多，也有五、六、八等多的應(yīng)用，主要應(yīng)用于多磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場(chǎng)、旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁導(dǎo)向等多種應(yīng)用，
更新時(shí)間:2025-07-04
一、產(chǎn)品介紹浪涌電流測(cè)試儀，是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成： a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-04
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-07-04
產(chǎn)品介紹交流阻斷（或反偏）耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下，對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時(shí)間，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。 一般情況下
更新時(shí)間:2025-07-04
本公司生產(chǎn)的實(shí)用新型公開(kāi)了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,大大減少了耐火磚的破損率.
更新時(shí)間:2025-07-04
阻斷特性測(cè)試儀的測(cè)試原理：符合國(guó)際及行業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，可對(duì)大功率半導(dǎo)體器件（含晶閘管）進(jìn)行阻斷特性的測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流值采用實(shí)時(shí)數(shù)字顯示，便于數(shù)據(jù)的觀察和記錄。采用手動(dòng)調(diào)壓器加壓模式，可實(shí)
更新時(shí)間:2025-07-04
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀，是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成： a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-04
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。 該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-07-04
一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了
更新時(shí)間:2025-07-04
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是門(mén)設(shè)計(jì)測(cè)試igbt、二管、mos管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的
更新時(shí)間:2025-07-04
mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括igss / bvr / vds（sat） / idss / vgsth / vf / rds（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)
更新時(shí)間:2025-07-04
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小，單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-07-04
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿，可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理，支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-07-04
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿，可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理，支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-07-04
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-07-04
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-07-04
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-07-04
電聲脈沖法是一種無(wú)損的空間電荷測(cè)量技術(shù)。它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為。空間電荷測(cè)量系統(tǒng)正在成為評(píng)估直流絕緣應(yīng)用(尤其是高壓電纜)中的聚合物材料測(cè)試時(shí)不錯(cuò)的技術(shù)。實(shí)際上，經(jīng)過(guò)充分的評(píng)估，空間電荷的存在是導(dǎo)致高壓直流聚合物電纜過(guò)早失效的主要原因，而且也是防止此類(lèi)電纜快速劣化的主要原因。
更新時(shí)間:2025-07-04
面對(duì)材料因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不佳現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象，設(shè)備可有效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。試驗(yàn)系統(tǒng)能夠模擬各式工業(yè)制品、零部件以及原材料在實(shí)際生產(chǎn)、使用、儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中的高壓伴隨著低溫、高溫、潮濕、干燥、高低溫濕熱交變、溫度變化速度快、溫度循環(huán)等環(huán)境因素中受的影響，以測(cè)試其功能、性能及壽命的完整性和牢靠性。
更新時(shí)間:2025-07-04
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