GCMS-QP2010(S) 標(biāo)準(zhǔn)離子源元件

gcms-qp2010(s) 標(biāo)準(zhǔn)離子源元件描述如下：

價(jià)格：電議 型號(hào)：225-10434-92,225-01068 所在地：北京北京市

GCMS-QP2010 離子源單元（CI/NCI）

gcms-qp2010 離子源單元（ci/nci）描述如下：

價(jià)格：電議 型號(hào)：225-10617-91,034-01602-31 所在地：北京北京市

GCMS-QP5050 離子源標(biāo)準(zhǔn)配件（GCMS）

gcms-qp5050 離子源標(biāo)準(zhǔn)配件（gcms）描述如下：

價(jià)格：電議 型號(hào)：225-01054,225-02446-91 所在地：北京北京市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 3000

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對(duì)比, eh 3000 是目市場(chǎng)上高效, 提供更高離子束流的離子源.

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 1000

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 1000, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 考夫曼型離子源 rficp 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 ma 離子流. 考夫曼型離子源 rficp 100 源直

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 2000

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eh 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eh 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI考夫曼離子源 KDC 40

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 考夫曼離子源 kdc 40: 小型低成本直流柵離子源. kdc 40 是 3cm 考夫曼型離子源升款. 具有更大的柵, 更堅(jiān)固, 可以配置自對(duì)準(zhǔn)第三層?xùn)? 離子源 k

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 考夫曼離子源 kdc 10: 考夫曼型離子源 gridded 系列小型號(hào)的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <100

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：廣東深圳市

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 考夫曼離子源 kdc 75:緊湊柵離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“cf法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 kdc 75 包含2個(gè)陰燈絲, 其中一

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上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140

上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 射頻離子源 rficp 140 是一款緊湊的有柵離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 rficp 140

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