硅二管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制

硅二管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制推薦激勵(lì)下的功率耗散：20μw@4.2k; 10μw@77k; 6μw@300k；※ bc封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2k, 100ms@77k, 200ms@305k；

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市

pt100鉑熱電阻薄膜型溫度傳感器低溫測(cè)量

pt100鉑熱電阻薄膜型溫度傳感器低溫測(cè)量磁場(chǎng)影響：不推薦40k以下的磁場(chǎng)環(huán)境中使用

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

硅二管裸片溫度傳感器/適用于低溫溫度測(cè)量

硅二管裸片溫度傳感器適用于低溫溫度測(cè)量dt640硅二管溫度傳感器在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市

液氫溫度傳感器 適用低溫溫度測(cè)量氫氣溫度計(jì)

液氫低溫溫度計(jì)具有曲線單調(diào)、重復(fù)性好、離散性小、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT670 所在地：其他其他

銠鐵低溫溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量抗輻射

銠鐵低溫溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量抗輻射推薦激勵(lì)下的耗散功率：3μw@4.2k，50μw@273k

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

硅二管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器

硅二管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝。

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器

cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器具有良好的穩(wěn)定性、熱循環(huán)和機(jī)械耐久性。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

銠鐵溫度計(jì)低溫溫度傳感器線繞型1.2K ~ 325K溫區(qū)

銠鐵溫度計(jì)低溫溫度傳感器線繞型磁場(chǎng)影響：不推薦77k溫度以下的磁場(chǎng)環(huán)境中使用重復(fù)性：±5mk@77k（通過(guò)100次300k到77k的熱沖擊測(cè)試而來(lái)）

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器

cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器傳感器在及其嚴(yán)格的質(zhì)量控制下制造，并在強(qiáng)磁場(chǎng)、中子伽馬輻射、熱循環(huán)和機(jī)械耐久條件下證明長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

價(jià)格：電議 型號(hào)：Cernox 所在地：北京北京市

鉑電阻溫度傳感器低溫測(cè)量薄膜型鉑熱電阻

鉑電阻溫度傳感器低溫測(cè)量薄膜型鉑熱電阻錦正茂提供的薄膜型鉑電阻，尺寸更小，響應(yīng)時(shí)間更短，應(yīng)用場(chǎng)合更加廣泛。

價(jià)格：電議 型號(hào)：PT100 所在地：北京北京市

銠鐵溫度傳感器線繞型二標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)低溫

銠鐵溫度傳感器線繞型二標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)低溫 重復(fù)性：±5mk@77k（通過(guò)100次300k到77k的熱沖擊測(cè)試而來(lái)）。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫測(cè)量碳陶瓷溫度計(jì)

cernox 溫度傳感器低溫測(cè)量碳陶瓷溫度計(jì)錦正茂碳陶瓷溫度傳感器 具有高靈敏度、穩(wěn)定性好、遵循單一電阻與溫度曲線，磁場(chǎng)性能優(yōu)良和耐輻射等特性。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市